أخبار صناعة الترددات اللاسلكية يوليو 2026 | إطلاق المنتجات، اختراقات GaN وتحديثات السوق
2026,08,27
Qorvo تسلط الضوء على ابتكار البنية التحتية اللاسلكية المدعومة بالذكاء الاصطناعي
أجرى سوما كابيلافاي، كبير مهندسي التسويق في Qorvo، مقابلة حصرية مع EFY، ناقش فيها تطور البنية التحتية اللاسلكية المدعومة بالذكاء الاصطناعي، وتجربة نشر 5G العالمية، وفرص صناعة mmWave، وخرائط الطريق التكنولوجية لاتصالات الجيل التالي.
أشباه الموصلات ومكونات الترددات اللاسلكية
Nanjing Guobo تحقق أول إنتاج تجاري ضخم لرقاقة GaN-on-Si RF للمحطات الذكية
أكملت شركة Nanjing Guobo Electronics، وهي شركة تابعة لمعهد الأبحاث CETC رقم 55، تسليم كميات كبيرة من أول شريحة GaN-on-Si RF في العالم مصممة للمحطات الذكية - مما يمثل أول نشر تجاري لهذه الفئة من الرقائق في محطات الاتصالات الاستهلاكية والمدنية على مستوى العالم، وكسر الاحتكار الخارجي الذي استمر لعقود من الزمن في قطاع RF GaN.
تطلق شركة Ampleon ترانزستور طاقة GaN-SiC RF بقدرة 1.6 كيلووات للتطبيقات الصناعية
قدمت شركة Ampleon ترانزستور طاقة GaN-SiC RF بقدرة 1.6 كيلووات للتطبيقات الصناعية والعلمية، ويعمل بتردد من 580 إلى 650 ميجاهرتز.
تقدم Bourns مرشحات تمرير النطاق LTCC لإنترنت الأشياء بترددات فرعية و5G C-Band
أعلن بورنز عن مرشح تمرير النطاق FBD1608N080D6 LTCC، وهو نوع متوازن، يدمج balun ومطابقة المعاوقة للواجهات الأمامية لإنترنت الأشياء RF ذات التردد الفرعي جيجاهرتز. أصدرت الشركة أيضًا مرشحات تمرير النطاق LTCC لتصميمات الواجهة الأمامية لـ 5G C-Band RF (النماذج FBP1604N470L3 وFBP1608N375L3 وFBP2007N470L3).
Foshan Faradi Electronics Co., Ltd
